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干法式等離子去膠原理

文章出處:等離子清洗機廠家 | 深圳納恩科技有限公司| 發(fā)表時間:2022-04-07
等離子去膠工藝是半導體單片掃膠、掃底膜工藝、元器件封裝前、芯片制造等行業(yè)的重要清洗步驟。等離子去膠不僅操作簡單、去膠效率高、表面干凈光潔而且無劃痕、成本低、環(huán)保。

等離子去膠原理


干法式去膠又被稱為等離子去膠,其原理同等離子清洗類似,主要通過氧原子核和光刻膠在等離子體環(huán)境中發(fā)生反應來去除光刻膠,由于光刻膠的基本成分是碳氫有機物,在射頻或微波作用下,氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學反應,生成一氧化碳,二氧化碳和水等,再通過泵被真空抽走,完成光刻膠的去除,在反應氣體中加入氮氣或者氫氣可以提高去膠性能、加強對殘留物的去除。

等離子產生的原理是:給充入足夠的氧氣或者氬氣并且穩(wěn)定的真空條件下的腔體的電極施加射頻,使得氣體產生活性等離子體,以此,在物理、化學雙重作用下對清洗的部件如砷化鎵、氮化鎵等進行表面的轟擊,將表面要去掉的物質變成了離子或者氣體,經過了抽真空排出,而達到清洗目的。

物理等離子去膠過程:主要是物理作用對清洗物件進行轟擊達到去膠的目的,主要的氣體為氧氣、氬氣等,通過射頻產生氬離子,轟擊清洗物件,以獲得表面光滑的最大化,并且結果是親水性增大,如圖1所示。
等離子去膠
圖一  物理等離子清洗
 
化學等離子清洗過程:清洗物的表面主要是以化學反應的形式表現(xiàn)作為主要的清洗目的,主要通過氧氣,即在真空反應室中通過射頻或微波能量使氧氣電離成等離子體,該等離子體中包含離子、原子、分子及電子與有機物發(fā)生化學反應,形成CO2和H2O,然后經真空泵將其抽走,達到清洗目的,如圖2所示。此外,樣品表面可以通過氧等離子體進行活化,增加表面氧鍵,為表面提供自由價電子與液體分子結合,從而進行表面改性。
等離子去膠
有機物 + O2 →CO2 + H2O
 圖 2 化學清洗
 
傳統(tǒng)主流去膠方法采用濕法去膠,成本低效率高,但隨著技術不斷迭代更新,越來越多IC制造商開始采用干法式去膠,等離子去膠工藝不同于傳統(tǒng)的濕法式去膠工藝,它不需要浸泡化學溶劑,也不用烘干,去膠過程更容易控制,避免過多算上基底,提高產品成品率。

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